A Qualcomm anunciou que vai se associar à Samsung para fabricar o próximo processador Snapdragon 835. Este será baseado no mais recente processo de 10nm FinFET da Samsung.
De acordo com a Qualcomm, o novo processo FinFET de 10nm é até 30% mais eficiente e oferece 27% de melhorias no desempenho ou 40% menos de consumo de energia. A pegada reduzida permitirá que os fabricantes de hardware façam dispositivos menores ou incluam outros componentes.
O novo processador também será o primeiro a incluir o novo Quick Charge 4. A Qualcomm afirma que Quick Charge 4 fornece um carregamento 20% mais rápido e 30% mais de eficiente do que o Quick Charge 3, graças à sua tecnologia Dual Charge paralela. Este também suporta USB Type-C e USB Power Delivery, o que significa que será capaz de realizar um carregamento rápido em dispositivos USB-PD como o Nexus do ano passado e os novos smartphones Pixel.
O Quick Charge 4 inclui INOV de terceira geração ou Intelligent Negotiation for Optimum Voltage, que agora fornece gestão térmica em tempo real. A Qualcomm também está a introduzir dois novos CIs de gestão de energia, o SMB1380 e o SMB1381, até 95% de eficiência e recursos avançados de carregamento rápido, como a detecção diferencial de bateria.
O Snapdragon 835 deverá estar a equipar dispositivos no primeiro semestre de 2017.
